Производство запустят в апреле 2009 года. В месяц будет изготавливаться по 200 тысяч полупроводниковых пластин.

Днем ранее Toshiba объявила, что ей удалось создать флешку емкостью в два гигабайта по 43-нанометровому технологическому процессу. К третьему кварталу 2008 года корпорация намерена начать массовое производство аналогичных устройств, но с емкостью уже в 4 гигабайта.

Сообщение о вложениях в строительство фабрики появилось на фоне удешевления флеш-памяти из-за перепроизводства. В конце января сама Toshiba предсказала, что флеш-память в 2008 году подешевеет более чем на 50 процентов.